DRA5114E
PNP硅外延平面型
对于数字电路
补充DRC5114E
DRA2114E在SMini3型封装
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
无卤/符合RoHS标准
（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）
单位：mm
标记符号： LB
包装
DRA5114E0L浮雕式（热压密封） ： 3 000个/卷（标准）
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
松下
JEITA
CODE
R
1
R
2
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
–50
–50
–100
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
SMini3-F2-B
SC-85
C
B
E
电阻值
R
1
R
2
典型值
10
10
最大
kΩ
kΩ
单位
V
V
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
输入阻抗
电阻率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（上）
V
我（关闭）
R
1
R
1
/ R
2
条件
I
C
= -10 μA ，我
E
= 0
I
C
= -2毫安，我
B
= 0
V
CB
= -50 V，I
E
= 0
V
CE
= -50 V，I
B
= 0
V
EB
= -6 V，I
C
= 0
V
CE
= -10 V，I
C
= -5毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= - 0.5毫安
V
CE
= - 0.2 V，I
C
= -5毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= –100 µA
–30%
0.8
10
1.0
–2.1
– 0.8
+30%
1.2
35
– 0.25
民
–50
–50
– 0.1
– 0.5
– 0.5
µA
µA
mA
V
V
V
kΩ
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2012年11月
版本。 DED
1
PANASONICBATTERY [ Panasonic Battery Group ]
