本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
DSC9001
NPN硅外延平面型
对于一般的放大器阳离子
补充DSA9001
DSC5001在SSMini3型封装
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
有利于小型化套,减少元件数量。
高正向电流传输比H
FE
具有优异的线性度
环保型无卤封装
包
CODE
SSMini3-F3-B
名字
针
1.基地
2.辐射源
3.收集
包装
浮雕式(热压密封) : 3000个/卷(标准)
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
125
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
标记符号: C1
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10
毫安,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
B
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
210
0.13
150
1.5
民
60
50
7
0.1
100
460
0.3
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
pF
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类网络阳离子
CODE
秩
h
FE
标记符号
R
R
210〜 340
C1R
S
S
290〜 460
C1S
0
无秩
210〜 460
C1
无等级的产品不分类网络版,并有军衔没有任何标记符号。
出版日期: 2011年1月
版本。 CED
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