IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

BSC021N08NS5

Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.

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0 INFINEON

GRM21BR71A475KA73#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

1 MURATA

NSR10T406MX2WT5G

1.0 A, 40 V, Schottky Barrier Diode

测试二极管

0 ONSEMI

BV1LB045FPJ-C

BV1LB045FPJ-C是车载用1ch低边开关。内置过电流保护功能、过热保护功能、有源钳位功能。

开关过电流保护

0 ROHM

PSMN7R0-60YS

N-channel LFPAK 60 V 6.4 mΩ standard level MOSFETProduction

开关脉冲晶体管

0 NEXPERIA

GRM188R71H153JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM188R11C474MA88#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GQM1875C2E750GB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极

0 INFINEON