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2SA684 参数 Datasheet PDF下载

2SA684图片预览
型号: 2SA684
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 50 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SA683 , 2SA684
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大和驱动放大
补充2SC1383和2SC1384
5.9±0.2
单位:mm
4.9±0.2
q
q
互补配对2SC1383和2SC1384 。
让供应与径向录音。
(Ta=25˚C)
评级
–30
–60
–25
–50
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
2.54±0.15
+0.3
+0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SA683
2SA684
2SA683
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
符号
发射极电压2SA684
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
0.45
–0.1
0.45
–0.1
1.27
+0.2
V
A
A
W
˚C
˚C
1.27
13.5±0.5
0.7
–0.2
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
条件
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ,我
C
= –1A
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–30
–60
–25
–50
–5
85
50
– 0.2
– 0.85
200
20
30
– 0.4
–1.2
V
V
兆赫
pF
340
典型值
最大
– 0.1
单位
µA
V
2SA683
2SA684
2SA683
2SA684
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
3.2
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 51
TO- 92L封装
V
V
FE1
等级分类
Q
85 ~ 170
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
h
FE1
1