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    2SA684 参数 Datasheet PDF下载

    2SA684图片预览
    型号： 2SA684
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 99 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA684的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA684的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA684的Datasheet PDF文件第4页  
    晶体管
    2SA0683
    (2SA683)
    ， 2SA0684
    (2SA684)
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    对于低频功率放大和驱动放大
    补充2SC1383 ， 2SC1384
    ■
    特点
    •
    让供应与径向编带
    5.9
    ±0.2
    4.9
    ±0.2
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    （发射极开路）
    2SA0683
    2SA0684
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    等级
    −30
    −60
    −25
    −50
    −5
    −1
    −1.5
    1
    150
    −55
    to
    +150
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    V
    单位
    V
    0.45
    +0.2
    –0.1
    (1.27)
    13.5
    ±0.5
    0.7
    +0.3
    –0.2
    0.7
    ±0.1
    8.6
    ±0.2
    0.45
    +0.2
    –0.1
    (1.27)
    1 2 3
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    2.54
    ±0.15
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    （发射极开路）
    集电极 - 发射极电压
    （基地开）
    2SA0683
    2SA0684
    2SA0683
    2SA0684
    V
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE1 * 2
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    I
    E
    = −10 µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    = −20
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −500
    mA
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −1
    A
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    I
    C
    = −500
    妈，我
    B
    = −50
    mA
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    50毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    = −10
    V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    85
    50
    −
    0.2
    −
    0.85
    200
    20
    30
    −
    0.4
    −1.20
    V
    V
    兆赫
    pF
    V
    首席执行官
    I
    C
    = −2
    妈，我
    B
    =
    0
    符号
    V
    CBO
    条件
    I
    C
    = −10 µA,
    I
    E
    =
    0
    民
    −30
    −60
    −25
    −50
    −5
    −
    0.1
    340
    V
    µA
    V
    典型值
    最大
    单位
    V
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    正向电流传输比
    *1
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE
    Q
    85至170
    R
    120至240
    S
    170至340
    注）括号内显示常规零件号的零件号。
    出版日期： 2004年2月
    SJC00001CED
    (3.2)
    集电极 - 发射极电压2SA0683
    （基地开）
    2SA0684
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    EIAJ ： SC- 51
    TO- 92L -A1套餐
    1

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