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2SA720 参数 Datasheet PDF下载

2SA720图片预览
型号: 2SA720
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频功率放大和驱动放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 3 页 / 70 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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2SC1317 , 2SC1318
P
C
T
a
800
800
700
晶体管
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
10毫安
9毫安
8毫安
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
400
300
200
100
0
3毫安
2毫安
1毫安
800
700
I
C
I
B
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
( mW)的
700
600
500
400
300
200
100
0
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
600
500
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
环境温度T
a
(
°C
)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
V
BE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
300
V
CE
=
10 V
基地发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/
I
B
=
10
I
C
/
I
B
=
10
正向电流传输比H
FE
30
10
3
25°C
1
−25°C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
a
=
75°C
250
T
a
=
75
°
C
200
25°C
−25°C
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
150
100
50
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
240
12
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
集电极到发射极电压V
CER
(V)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25°C
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
120
V
CER
R
BE
I
C
=
2毫安
T
a
=
25°C
100
过渡频率f
T
(兆赫)
200
10
160
8
80
120
6
60
2SC1318
40
2SC1317
20
80
4
40
2
0
−1
−2 −3 −5
−10
−20−30 −50 −100
0
0
1
2 3
5
10
20 30 50
100
1
3
10
30
100
300
1 000
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(kΩ)
2