晶体管
P
C
- TA
1.6
1200
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25˚C
1000
–10
I
B
=–200µA
800
–180µA
–160µA
–140µA
–120µA
–100µA
400
–80µA
–60µA
200
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–40µA
–20µA
0
0
– 0.4
– 0.8
2SB1073
I
C
— V
CE
–12
V
CE
=–2V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
(A)
–8
25˚C
–6
Ta=75˚C
–25˚C
600
–4
–2
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
–3
–1
Ta=75˚C
25˚C
I
C
/I
B
=30
Ta=25˚C
600
h
FE
— I
C
120
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–2V
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
正向电流传输比H
FE
500
100
400
Ta=75˚C
300
25˚C
–25˚C
80
– 0.3
– 0.1
– 0.03
–25˚C
– 0.01
60
200
40
100
20
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
