欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SB1440 参数 Datasheet PDF下载

2SB1440图片预览
型号: 2SB1440
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面型(对于低频输出放大) [Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SB1440的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SB1440
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
补充2SD2185
单位:mm
s
特点
q
q
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
小功率型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
2.6±0.1
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
4.0
–0.20
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25˚C)
评级
–50
–50
–5
–3
–2
1
*
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
0.4±0.04
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
记号
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 62
迷你功率型封装
标记符号:
1I
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -200mA
V
CE
= -2V ,我
C
= –1A
I
C
= -1A ,我
B
= -50mA
I
C
= -1A ,我
B
= -50mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–50
–50
–5
120
60
– 0.2
– 0.85
80
45
60
– 0.3
–1.2
V
V
兆赫
pF
340
典型值
最大
单位
V
V
V
*
h
FE1
等级分类
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
h
FE1
2.5±0.1
+0.25
1