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2SB930 参数 Datasheet PDF下载

2SB930图片预览
型号: 2SB930
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内容描述: PNP硅外延平面型(适用于功率放大) [Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 52 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SB930的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SB930 , 2SB930A
PNP硅外延平面型
进行功率放大
10.0±0.3
1.5±0.1
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
单位:mm
1.0±0.1
补充2SD1253和2SD1253A
s
特点
q
q
q
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
N型包使散热片直接焊接到
在印刷电路板,小型电子设备等。
(T
C
=25˚C)
评级
–60
–80
–60
–80
–5
–8
–4
40
1.3
150
-55到+150
单位
V
1.5max.
1.1max.
10.5min.
2.0
0.8±0.1
0.5max.
2.54±0.3
5.08±0.5
1
2
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB930
2SB930A
2SB930
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型套餐
单位:mm
3.4±0.3
1.0±0.1
8.5±0.2
6.0±0.3
发射极电压2SB930A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
14.7±0.5
4.4±0.5
0〜0.4
V
A
A
W
10.0±0.3
1.5
–0.4
4.4±0.5
2.0
0.8±0.1
2.54±0.3
R0.5
R0.5
1.1最大。
5.08±0.5
˚C
˚C
1
2
3
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB930
2SB930A
2SB930
2SB930A
2SB930
2SB930A
(T
C
=25˚C)
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1*
h
FE2
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -4A ,我
B1
= - 0.4A ,我
B2
= 0.4A
条件
V
CE
= –60V, V
BE
= 0
V
CE
= –80V, V
BE
= 0
V
CE
= -30V ,我
B
= 0
V
CE
= -60V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -30mA ,我
B
= 0
V
CE
= -4V ,我
C
= –1A
V
CE
= -4V ,我
C
= –3A
V
CE
= -4V ,我
C
= –3A
I
C
= -4A ,我
B
= – 0.4A
V
CE
= -10V ,我
C
= - 0.1A , F = 1MHz的
20
0.2
0.5
0.2
–60
–80
70
15
典型值
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
N型封装( DS )
最大
–400
–400
–700
–700
–1
3.0
–0.2
+0.4
+0
单位
µA
µA
mA
V
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE1
250
–2
–1.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
等级分类
Q
70至150
P
120至250
h
FE1
1