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    2SC2480 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2480图片预览
    型号： 2SC2480
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于高频放大/振荡/混合） [Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification / oscillation / mixing)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 77 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC2480的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC2480的Datasheet PDF文件第3页  
    2SC2480
    P
    C
    T
    a
    240
    24
    I
    B
    =
    300
    µA
    200
    20
    晶体管
    I
    C
    V
    CE
    T
    a
    =
    25°C
    24
    V
    CE
    =
    10 V
    T
    a
    =
    25°C
    20
    I
    C
    I
    B
    集电极耗散功率P
    C
    （ mW）的
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流
    I
    C
    （MA ）
    250
    µA
    16
    200
    µA
    12
    150
    µA
    100
    µA
    50
    µA
    160
    16
    120
    12
    80
    8
    8
    40
    4
    4
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    0
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12 14 16 18
    0
    100
    200
    300
    400
    500
    环境温度T
    a
    (°C)
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    基极电流I
    B
    (µA)
    I
    B
    V
    BE
    400
    350
    300
    V
    CE
    =
    10 V
    T
    a
    =
    25°C
    60
    I
    C
    V
    BE
    25°C
    50
    T
    a
    =
    75°C
    V
    CE
    =
    10 V
    −25°C
    240
    h
    FE
    I
    C
    V
    CE
    =
    10 V
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    40
    正向电流传输比H
    FE
    200
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    基极电流I
    B
    (µA)
    160
    T
    a
    =
    75°C
    120
    25°C
    −25°C
    30
    20
    80
    10
    40
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    0
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    (V)
    100
    30
    10
    3
    1
    f
    T
    I
    E
    1 600
    1 400
    C
    re
    V
    CE
    共发射极反向传输电容C
    re
    （PF ）
    V
    CB
    =
    10 V
    T
    a
    =
    25°C
    2.4
    I
    C
    =
    1毫安
    f
    =
    10.7兆赫
    T
    a
    =
    25°C
    I
    C
    /
    I
    B
    =
    10
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    2.0
    1 200
    1 000
    800
    600
    400
    200
    0
    −
    0.1
    −
    0.3
    1.6
    1.2
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    25°C
    T
    a
    =
    75°C
    0.8
    –25°C
    0.4
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    −1
    −3
    −10
    −30
    −100
    0
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    2

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