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    2SC3707 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3707图片预览
    型号： 2SC3707
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（超高频放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 41 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC3707的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SC3707
    NPN硅外延平面型
    对于UHF放大
    单位：mm
    2.8
    –0.3
    +0.2
    s
    特点
    q
    q
    q
    0.65±0.15
    1.5
    –0.05
    +0.25
    0.65±0.15
    2
    1.1
    –0.1
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    10
    7
    2
    10
    50
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：裴
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    标记符号：
    2X
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    正向电流传输比
    跃迁频率
    集电极输出电容
    FOWARD转让收益
    最大单边功率增益
    噪声系数
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    | S
    21e
    |
    2
    GUM
    NF
    条件
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 1.5V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1mA时， F = 800MHz的
    V
    CB
    = 1V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1mA时， F = 800MHz的
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1mA时， F = 800MHz的
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1mA时， F = 800MHz的
    50
    100
    4
    0.4
    6
    15
    3.5
    民
    典型值
    最大
    1
    1
    150
    GHz的
    pF
    dB
    dB
    dB
    单位
    nA
    µA
    注：请小心使用产品，因为这是由它的结构的静电击穿敏感。
    0-0.1
    s
    绝对最大额定值
    (Ta=25˚C)
    为0.1〜 0.3
    0.4±0.2
    0.8
    0.16
    –0.06
    +0.2
    +0.1
    0.4
    –0.05
    可能用小电流和低电压。
    高转换频率f
    T
    .
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    0.95
    2.9
    –0.05
    1
    1.9±0.2
    +0.2
    0.95
    3
    +0.1
    1.45
    1

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