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型号: 2SC5584
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内容描述: 硅NPN三重扩散台面型(水平偏转输出) [Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 1 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
   
功率晶体管
2SC5584
硅NPN三重扩散台面型
单位:mm
水平偏转输出
(10.0) (6.0)
(2.0)
(4.0)
20.0
±0.5
φ
3.3
±0.2
5.0
±0.3
(3.0)
I
特点
高的击穿电压,并且通过使用具有高可靠性
玻璃钝化层
高速开关
安全运行的广域( ASO )
26.0
±0.5
(3.0)
(1.5)
(1.5)
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
0.6
±0.2
5.45
±0.3
10.9
±0.5
(1.5)
2.7
±0.3
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
等级
1 500
1 500
600
7
30
20
8
150
3.5
150
−55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
20.0
±0.5
(2.5)
浸焊
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TOP- 3L包装
标记符号: C5584
内部连接
C
B
结温
储存温度
E
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
1 000 V,I
E
=
0
V
CB
=
1 500 V,I
E
=
0
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
EB
=
7 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
10 A
I
C
=
10 A,I
B
=
2.5 A
I
C
=
10 A,I
B
=
2.5 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.1 A,F
=
0.5兆赫
I
C
=
10 A,电阻负载
I
B1
=
2.5 A,I
B2
= −5.0
A
3
2.7
0.2
7
典型值
最大
50
1
50
14
3
1.5
V
V
兆赫
µs
µs
单位
µA
mA
µA
(2.0)
1