2SD1119 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1119
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内容描述：	NPN硅外延平面型（对于低频功率amplification0 [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 41 K
品牌：	PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]

晶体管

2SD1119

NPN硅外延平面型

对于低频功率放大

单位：mm

特点

2.6±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

在高效率运转良好表现

低电压电源。

迷你型封装，设备，允许小型化，

通过带包装盒自动插入

包装。

0.4max.

45°

1.0

–0.2

+0.1

0.4±0.08

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

4.0

–0.20

0.4±0.04

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

(Ta=25˚C)

评级

单位

˚C

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

EIAJ ：SC- 62

迷你功率型封装

记号

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

标记符号：

150

–55 ~ +150

印刷电路板：为1cm铜箔区

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25˚C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE1*1

FE2

CE （ SAT ）

条件

= 10V ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 2V ，我

= 0.5A

= 2V ，我

= 2A

= 3A ，我

0.1A

150

民

典型值

最大

0.1

2.5±0.1

+0.25

单位

µA

230

150

600

兆赫

= 6V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

= 20V ，我

= 0中，f = 1MHz的

脉冲测量

FE1

等级分类

秩

FE1

230 ~ 380

340 ~ 600

标记符号

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