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    2SD1264 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1264图片预览
    型号： 2SD1264
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散平面型 [Silicon NPN triple diffusion planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 48 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD1264的Datasheet PDF文件第2页  
    功率晶体管
    2SD1264 ， 2SD1264A
    硅NPN三重扩散平面型
    对于低freauency功率放大
    电视垂直偏转输出
    0.7±0.1
    单位：mm
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    φ3.1±0.1
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    1
    2
    3
    4.2±0.2
    补充2SB940和2SB940A
    q
    q
    q
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    200
    150
    180
    6
    3
    2
    30
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极
    2SD1264
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    发射极电压2SD1264A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    浸焊
    s
    绝对最大额定值
    14.0±0.5
    4.0
    高集电极到发射极V
    首席执行官
    大集电极耗散功率P
    C
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    16.7±0.3
    7.5±0.2
    s
    特点
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极
    电压
    2SD1264
    2SD1264A
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    V
    BE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    *
    条件
    V
    CB
    = 200V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 5毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 500μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 400毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 400毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 0.5A ， F = 1MHz的
    民
    典型值
    最大
    50
    50
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    V
    200
    150
    180
    6
    60
    50
    1
    1
    20
    240
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    基地发射极电压
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    *
    h
    FE1
    V
    V
    兆赫
    等级分类
    Q
    60至140
    P
    100至240
    秩
    h
    FE1
    1

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