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    2SD1328 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1328图片预览
    型号： 2SD1328
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于低电压输出放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 42 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD1328的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SD1328
    NPN硅外延平面型
    用于低电压输出放大
    静音
    用于DC-DC转换器
    0.65±0.15
    2.8
    –0.3
    +0.2
    +0.25
    单位：mm
    1.5
    –0.05
    0.65±0.15
    s
    特点
    0.95
    q
    q
    q
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    25
    20
    12
    1
    0.5
    200
    150
    –55 ~ +150
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    标记符号：
    1D
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    ON resistanse
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE*1
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    R
    on*3
    条件
    V
    CB
    = 25V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 0.5A
    *2
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    = 20mA下
    *2
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    = 50毫安
    *2
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = -50mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    200
    10
    1.0
    *2
    民
    典型值
    0-0.1
    为0.1〜 0.3
    0.4±0.2
    0.8
    参数
    符号
    评级
    单位
    +0.2
    1.1
    –0.1
    最大
    100
    0.16
    –0.06
    s
    2
    绝对最大额定值
    (Ta=25˚C)
    +0.1
    0.4
    –0.05
    +0.1
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    .
    低导通电阻R
    on
    .
    高盼着电流传输比H
    FE
    .
    2.9
    –0.05
    1
    1.9±0.2
    +0.2
    0.95
    3
    1.45
    单位
    nA
    V
    V
    V
    25
    20
    12
    200
    0.13
    800
    0.4
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    Ω
    脉冲测量
    *1
    h
    FE
    等级分类
    秩
    h
    FE
    R
    200 ~ 350
    1DR
    S
    300 ~ 500
    1DS
    T
    400 ~ 800
    1DT
    *3
    R
    on
    测量电路
    1kΩ
    I
    B
    =1mA
    f=1kHz
    V=0.3V
    标记符号
    V
    B
    V
    V
    V
    A
    R
    on
    =
    V
    B
    !1000(Ω)
    V
    A
    –V
    B
    1

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