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2SD2136 参数 Datasheet PDF下载

2SD2136图片预览
型号: 2SD2136
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 82 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SB1416
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SD2136
3.8
±0.2
7.5
±0.2
单位:mm
4.5
±0.2
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
允许自动插入径向编带
10.8
±0.2
0.65
±0.1
2.5
±0.1
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.8 C
90˚
0.8 C
16.0
±1.0
0.7
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
1.15
±0.2
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
−60
−60
−5
−3
−5
1.5
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2.5
±0.2
0.8 C
1
2
3
0.5
±0.1
2.05
±0.2
0.4
±0.1
2.5
±0.2
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
MT- 3 - A 1包
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
基射极电压
集电极 - 发射极截止电流(E -B的短)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
V
BE
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= −30
妈,我
B
=
0
V
CE
= −4
V,I
C
= −3
A
V
CE
= −60
V, V
BE
=
0
V
CE
= −30
V,I
B
=
0
V
EB
= −5
V,I
C
=
0
V
CE
= −4
V,I
C
= −1
A
V
CE
= −4
V,I
C
= −3
A
I
C
= −3
A,I
B
= −
0.375A
V
CB
= −5
V,I
E
=
0.1 A,F
=
200兆赫
I
C
= −1
A,I
B1
= −
0.1 A,I
B2
=
0.1 A
270
0.5
1.2
0.3
40
10
−1.2
V
兆赫
µs
µs
µs
−60
−1.8
−200
−300
−1
250
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE1
P
40〜90
Q
70至150
R
120至250
出版日期: 2003年3月
SJD00071BED
1