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    2SD2136 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2136图片预览
    型号： 2SD2136
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散平面型 [Silicon NPN triple diffusion planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 86 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD2136的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2136的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SD2136
    硅NPN三重扩散平面型
    进行功率放大
    补充2SB1416
    7.5
    ±0.2
    单位：mm
    4.5
    ±0.2
    16.0
    ±1.0
    2.5
    ±0.1
    •
    高正向电流传输比H
    FE
    它具有良好的线性度。
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    让供应与径向编带
    10.8
    ±0.2
    0.65
    ±0.1
    0.85
    ±0.1
    1.0
    ±0.1
    0.8 C
    90˚
    ■
    特点
    3.8
    ±0.2
    0.8 C
    0.7
    ±0.1
    0.7
    ±0.1
    1.15
    ±0.2
    1.15
    ±0.2
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    60
    60
    6
    3
    5
    1.5
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    0.5
    ±0.1
    0.8 C
    1
    2
    3
    2.05
    ±0.2
    0.4
    ±0.1
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    2.5
    ±0.2
    2.5
    ±0.2
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    MT- 3 - A 1包
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    基射极电压
    *1
    符号
    V
    首席执行官
    V
    BE
    I
    CES
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE1 * 2
    h
    FE2 * 1
    *1
    条件
    I
    C
    =
    30毫安，我
    B
    =
    0
    V
    CE
    =
    4 V，I
    C
    =
    3 A
    V
    CE
    =
    60 V, V
    BE
    =
    0
    V
    CE
    =
    30 V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    =
    6 V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    4 V，I
    C
    =
    1 A
    V
    CE
    =
    4 V，I
    C
    =
    3 A
    I
    C
    =
    3 A，I
    B
    =
    0.375 A
    V
    CE
    =
    5 V，I
    E
    = −
    0.1 A，F
    =
    200兆赫
    I
    C
    =
    1 ，我
    B1
    =
    0.1 A，I
    B2
    = −
    0.1 A
    民
    60
    典型值
    最大
    单位
    V
    1.8
    200
    300
    1
    40
    10
    1.2
    220
    0.5
    2.5
    0.4
    250
    V
    µA
    µA
    mA
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    集电极 - 发射极截止电流（发射极基极短）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    P
    40〜90
    Q
    70至150
    R
    120至250
    出版日期： 2003年9月
    SJD00246BED
    1

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