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2SD2216 参数 Datasheet PDF下载

2SD2216图片预览
型号: 2SD2216
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2216的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD2216
NPN硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SB1462
1.6±0.15
单位:mm
s
特点
q
q
q
0.4
0.8±0.1
0.4
0.2
–0.05
0.15
–0.05
+0.1
高盼着电流传输比H
FE
.
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
SS-迷你型封装,设备的小型化使
并通过带包装自动插入。
1.6±0.1
1.0±0.1
0.5
1
0.5
3
2
0.45±0.1 0.3
0.75±0.15
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
60
50
7
200
100
125
125
–55 ~ +125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ :SC- 75
SS-迷你型包装
标记符号:
Y
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 100μA ,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 2毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
60
50
7
160
90
0.1
150
3.5
0.3
V
兆赫
pF
460
典型值
最大
0.1
100
单位
µA
µA
V
V
V
*
h
FE1
等级分类
h
FE1
Q
160 ~ 260
YQ
R
210 ~ 340
YR
S
290 ~ 460
YS
标记符号
0-0.1
0.2±0.1
+0.1
1