晶体管
2SD0874 ， 2SD0874A
（ 2SD874 ， 2SD874A ）
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SB0766 （ 2SB766 ）和2SB0766A （ 2SB766A ）
■
特点
•
大集电极耗散功率P
C
•
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
•
迷你功率型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒包装自动插入
1
4.5
±0.1
1.6
±0.2
1.5
±0.1
单位：mm
4.0
+0.25
–0.20
2.5
±0.1
3˚
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SD0874
2SD0874A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
30
60
25
50
5
1
1.5
1
150
−55
to
+150
V
A
A
W
°C
°C
V
单位
V
1.0
+0.1
–0.2
0.4
±0.08
1.5
±0.1
3˚
3
2
0.5
±0.08
0.4
±0.04
45˚
集电极 - 发射极电压2SD0874
（基地开）
2SD0874A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
*
结温
储存温度
3.0
±0.15
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
MiniP3 -F1套餐
标记符号：
•
2SD0874位：Z
•
2SD0874A ：Y
注） *：印刷电路板：铜箔1厘米面积
2
或更多，并且
为1.7mm基板厚度的集电部
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
2SD0874
2SD0874A
2SD0874
2SD0874A
V
EBO
I
CBO
h
FE1 * 2
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
*1
基射极饱和电压
*1
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
I
E
=
10
µA,
I
C
=
0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
500毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
1 A
I
C
=
500毫安，我
B
=
50毫安
I
C
=
500毫安，我
B
=
50毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= −50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
85
50
0.2
0.85
200
20
0.4
1.2
V
V
兆赫
pF
V
首席执行官
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
符号
V
CBO
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
民
30
60
25
50
5
0.1
340
V
µA
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输比
*1
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2002年11月
SJC00197CED
0.4最大。
2.6
±0.1
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
