晶体管
P
C
- TA
1.4
2SB789 ， 2SB789A
I
C
— V
CE
–1.2
Ta=25˚C
–1.0
–18mA
–16mA
–14mA
I
B
=–20mA
–12mA
–10mA
- 0.8毫安
- 0.6毫安
= 0.4毫安
–1.0
–1.2
V
CE
=–10V
Ta=25˚C
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
集电极电流I
C
(A)
1.0
– 0.8
0.8
– 0.6
0.6
– 0.4
= 0.2毫安
0.4
0.2
– 0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
集电极电流I
C
(A)
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
0
0
–3
–6
–9
–12
–15
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
–100
–30
–10
–3
25˚C
–1
Ta=–25˚C
75˚C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
V
CE
=–10V
正向电流传输比H
FE
500
400
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
300
Ta=75˚C
200
25˚C
–25˚C
100
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
E
200
180
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
过渡频率f
T
（兆赫）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
3
10
30
100
–3
–10
–30
–100
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
