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2SK664 参数 Datasheet PDF下载

2SK664图片预览
型号: 2SK664
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内容描述: 切换 [For Switching]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 76 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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硅MOS场效应管(小信号)
2SK0664
(2SK664)
硅N沟道MOS FET
单位:mm
切换
I
特点
(0.425)
0.3
+0.1
–0.0
3
0.15
+0.10
–0.05
1.25
±0.10
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.2
10°
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
最大漏极电流
允许功耗
通道温度
储存温度
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
50
8
100
200
150
150
−55
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 :门
2 :源
3 :排水
0-0.1
参数
符号
V
DSS
评级
单位
0.9
±0.1
0.9
+0.2
–0.1
I
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
EIAJ : SC- 70
SMini3 -G1封装
标记符号: 3N
内部连接
D
G
S
I
电气特性
( TA = 25°C )
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
条件
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
= 8V, V
DS
= 0
I
D
= 100μA ,V
GS
= 0
I
D
= 100μA ,V
DS
= V
GS
I
D
= 20mA时, V
GS
= 5V
I
D
= 20mA时, V
DS
= 5V , F = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中,f = 1kHz的
V
DD
= 5V, V
GS
= 0〜 5V ,R
L
= 200Ω
V
DD
= 5V, V
GS
= 5〜 0V ,R
L
= 200Ω
10
20
典型值
最大
10
50
50
1.5
20
15
5
1
3.5
50
单位
µA
µA
V
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
正向转移导纳
| Y
fs
|
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)C
OSS
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间
t
在*
打开-O FF时间
*
t
关*
V
OUT
t
on
, t
关闭
测量电路
200Ω
V
in
V
DD
= 5V
V
OUT
10%
10%
90%
t
on
t
关闭
90%
50Ω
100µF
V
GS
= 5V
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
0.2
±0.1
G
高速开关
G
S-迷你型封装,允许集合和自动的小型化
马蒂奇通过插入磁带/杂志包装。
2.1
±0.1
1
2
289