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    2SK665 参数 Datasheet PDF下载

    2SK665图片预览
    型号： 2SK665
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 38 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK665的Datasheet PDF文件第2页  
    硅MOS场效应管（小信号）
    2SK665
    硅N沟道MOS FET
    切换
    单位：mm
    2.1±0.1
    s
    特点
    q
    高速开关
    q
    由于高输入inpedance小的驱动电流
    q
    高压静电击穿电压
    0.65
    0.425
    1.25±0.1
    0.425
    1
    2.0±0.2
    1.3±0.1
    0.65
    3
    2
    0.9±0.1
    0-0.1
    参数
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    最大漏极电流
    允许功耗
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DS
    V
    GSO
    I
    D
    I
    DP
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    评级
    20
    8
    100
    200
    150
    150
    −55
    +150
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    0.7±0.1
    0.2±0.1
    1 ：门
    2 ：源
    3 ：排水
    EIAJ ： SC- 70
    S-迷你型包装（ 3针）
    标记符号： 3O
    内部连接
    D
    R
    1
    G
    R
    2
    S
    s
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    参数
    漏极到源极截止电流
    门源漏电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏极至源极导通电阻
    正向转移导纳
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    输入阻抗
    开启时间
    打开-O FF时间
    *1
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    DSS
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    | Y
    fs
    |
    V
    OH
    *3
    条件
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0
    V
    GS
    = 8V, V
    DS
    = 0
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 100μA ，V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 20mA时， V
    GS
    = 5V
    I
    D
    = 20mA时， V
    DS
    = 5V ， F = 1kHz时
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 1V ，R
    L
    = 200Ω
    民
    40
    20
    1.5
    20
    4.5
    典型值
    最大
    10
    80
    3.5
    50
    0.15
    –0.05
    +0.1
    s
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    0.2
    0.3
    –0
    +0.1
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    Ω
    mS
    V
    V
    kΩ
    µs
    µs
    V
    SL
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 5V ，R
    L
    = 200Ω
    1
    R
    1
    + R
    2*
    t
    on*2
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 0〜 5V ，R
    L
    = 200Ω
    t
    off*2
    *2
    1
    100
    200
    1
    1
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 5〜 0V ，R
    L
    = 200Ω
    *3
    电阻比R
    1
    /R
    2
    = 1/50
    V
    OUT
    200Ω
    t
    on
    , t
    关闭
    测量电路
    脉冲测量
    90%
    100µF
    V
    GS
    = 5V
    50Ω
    V
    in
    V
    DD
    = 5V
    V
    OUT
    10%
    10%
    90%
    t
    on
    t
    关闭
    1

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