AN80xx / AN80xxM系列
I
在T电气特性
a
=
25 ° C（续）
•
AN8003 ， AN8003M （ 3V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
3.5〜 9V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
2.9V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
2.9V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
4〜 6V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
58
条件
民
2.88
典型值
3
3
9
15
0.07
0.12
0.6
70
70
0.15
最大
3.12
50
25
30
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
4V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
•
AN8035 （ 3.5V型）
yp
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
4至9.5V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
3.4V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
3.4V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
4.5〜 6.5V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
57
条件
民
3.36
典型值
3.5
3.5
10
20
0.07
0.12
0.6
69
75
0.2
最大
3.64
50
30
40
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
4.5V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
•
AN8004 ， AN8004M （ 4V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
4.5〜 10V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
3.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
3.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
5〜 7V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
56
条件
民
3.84
典型值
4
3.5
10
20
0.07
0.12
0.6
67
80
0.2
最大
4.16
50
30
40
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
5V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
SFF00007CEB
3
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
