GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
一般用途和经济型。
DIP （二表B ） 8脚型。
加强绝缘5,000V
型。
特点
9.86
.388
6.4
.252
3.2
.126
9.86
.388
6.4
.252
2.9
.114
检测
GU -E PhotoMOS
(AQW414EH)
的低电平模拟信号的控制，而不
失真。
5.高灵敏度，高速
反应。
可以控制最大0.13负载
当前用5 mA的输入电流。快
0.8毫秒（典型值）的运行速度。
6.低层次的关闭状态泄漏电流
mm
寸
1
2
3
4
8
7
6
5
1.加强绝缘5000 V型
大于0.4mm内部绝缘
输入和输出之间的距离。
CON-形式， EN41003 ， EN60950
（加强绝缘） 。
2.紧凑型8引脚DIP尺寸
该器件采用紧凑型
(W)6.4
×
(L)9.86
×
（H）的3.2毫米
(W).252
×
(L).388
×
（H）， 0.126英寸，
8引脚DIP
尺寸（通孔端子型） 。
3.适用于2型B使用以及
作为两个独立的1型B使用
4.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压，使
典型应用
•调制解调器
•电话设备
•安全设备
•传感器
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
电压
负载
电压
交流/直流
TYPE
增强
5,000 V
负载
当前
通孔
终奌站
管包装风格
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1月2日/ 3/ 4针侧5/6 /7/ 8引脚端
AQW414EHAX
AQW414EHAZ
管
1管中含有
40个。
1批包含
400件。
包装数量
磁带和
REEL
400 V
百毫安
AQW414EH
AQW414EHA
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注意：
由于空间的原因， SMD终端形态指标"A"和封装类型指示"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压（峰值AC）
产量
连续负载电流
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
AQW414EH （ A）
50mA
5V
1A
75mW
400 V
0.1 A (0.13 A)
0.3 A
800mW
850mW
5000 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
峰值AC， DC
（）：如果只使用1个信道的。
100毫秒（ 1拍） ，V
L
= DC
备注
输入
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
操作
温度
范围
存储
非冷凝在低温下
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