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UN5115 参数 Datasheet PDF下载

UN5115图片预览
型号: UN5115
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 436 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR511x系列
UNR511E的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
−1.0
mA
T
a
=
25°C
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
−100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
= −10
V
−60
集电极电流I
C
(MA )
−10
正向电流传输比H
FE
−50
300
−40
0.3毫安
−30
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.2毫安
−1
25°C
0.1
−25°C
T
a
=
75°C
200
T
a
=
75°C
100
25°C
−25°C
−20
0.1毫安
−10
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
0.01
0.1
−1
−10
−100
0
−1
−10
−100
−1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
−10
4
V
IN
I
O
V
O
= −5
V
T
a
=
25°C
−100
V
O
= −
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(
µA
)
4
3
−10
2
输入电压V
IN
(V)
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
−10
3
−10
−1
2
−10
0.1
1
0
0.1
−1
−10
−100
−1
−1.5
0.01
0.1
−1
−10
−100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR511F的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
−240
T
a
=
25°C
I
B
= −1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
−100
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
160
h
FE
I
C
V
CE
= −10
V
−10
正向电流传输比H
FE
−200
集电极电流I
C
(MA )
120
T
a
=
75°C
25°C
80
−25°C
−160
−120
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
−10 −12
−1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
−25°C
−1
−10
−100
−80
40
−40
0
0
−2
−4
−6
−8
0.01
0.1
0
−1
−10
−100
−1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
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