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UN5212 参数 Datasheet PDF下载

UN5212图片预览
型号: UN5212
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内容描述: NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 435 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR521x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(µA)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
10
−1
1
0
10
−1
1
10
10
2
1
0.4
10
−2
10
−1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR5217的特性图
I
C
V
CE
a
I
B
=1
0.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
V
CE ( SAT )
I
C
T
=
25°C
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
100
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
120
10
2
I
C
/ I
B
=
10
集电极电流I
C
(MA )
10
300
80
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
60
1
T
a
=
75°C
200
T
a
=
75°C
25°C
40
25°C
10
−1
100
−25°C
20
0
0
2
4
6
8
0.1毫安
−25°C
10
−2
10
−1
1
10
10
2
0
1
10
10
2
10
3
10
12
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
2
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(µA)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
10
−1
1
0
10
−1
1
10
10
2
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
−2
10
−1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
8
SJH00024CED