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XN1211 参数 Datasheet PDF下载

XN1211图片预览
型号: XN1211
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 50 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XN01211
(XN1211)
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
对于开关/数字电路
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
3
4
5
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
s
特点
q
q
两个元素合并到一个包中。
(发射极耦合晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本。
2
0.30
+0.10
–0.05
1
(0.65)
1.1
+0.2
–0.1
q
UNR1211(UN1211)
×
2元
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
˚C
˚C
1 :收藏家( Tr1的)
2 :收藏家( TR2)
3 :基地( TR2)
4 :发射器
5 :基地( Tr1的)
EIAJ : SC- 74A
Mini5 -G1 PAKAGE
标记符号:
9T
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*1
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
(小/大)
*1
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ,R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1kΩ
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
–30%
0.8
150
10
1.0
+30%
1.2
4.9
0.2
35
0.5
0.99
0.25
V
V
V
兆赫
kΩ
50
50
0.1
0.5
0.5
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
2个元素之间的比例
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
0-0.1
1.1
+0.3
–0.1
s
元素的基本型号
10˚
0.4
±0.2
1