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XP1501 参数 Datasheet PDF下载

XP1501图片预览
型号: XP1501
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XP1501
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
2.1±0.1
0.425
1.25±0.1
0.425
0.2±0.05
0.12
– 0.02
+0.05
对于一般的放大
0.65
s
特点
q
q
两个元素合并到一个包中。
(发射极耦合晶体管)
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.0±0.1
1
2
3
5
0.65
4
0.9± 0.1
q
2SD601A
×
2元
0.7±0.1
s
元素的基本型号
0.2
0-0.1
0.2±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
等级
发射器基极电压
of
元集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
60
50
7
100
200
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
1 :基地( Tr1的)
2 :发射器
3 :基地( TR2)
4 :收藏家( TR2)
5 :收藏家( Tr1的)
EIAJ : SC- 88A
S-迷你型包装( 5针)
标记符号:
5R
内部连接
1
2
3
4
Tr1
5
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE
(小/大)
*1
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
B
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 2毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
160
0.5
0.99
0.1
150
3.5
0.3
V
兆赫
pF
60
50
7
0.1
100
460
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
2个元素之间的比例
1