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    XP4311 参数 Datasheet PDF下载

    XP4311图片预览
    型号： XP4311
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN （ PNP ）外延平面晶体管 [Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 50 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XP4311的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XP4311的Datasheet PDF文件第3页浏览型号XP4311的Datasheet PDF文件第4页  
    复合晶体管
    XP4311
    (Ta=25˚C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    OH
    V
    OL
    f
    T
    R
    1
    R
    1
    /R
    2
    条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    = 0
    V
    CB
    = 50V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = 50V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 5毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0.3毫安
    V
    CC
    = 5V, V
    B
    = 0.5V ，R
    L
    = 1kΩ
    V
    CC
    = 5V, V
    B
    = 2.5V ，R
    L
    = 1kΩ
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = -1mA ， F = 200MHz的
    –30%
    0.8
    150
    10
    1.0
    +30%
    1.2
    4.9
    0.2
    35
    0.25
    V
    V
    V
    兆赫
    kΩ
    民
    50
    50
    0.1
    0.5
    0.5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    s
    电气特性
    q
    Tr1
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    输出电压较高水平
    输出电压低的水平
    跃迁频率
    输入阻抗
    电阻率
    q
    Tr2
    参数
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    OH
    V
    OL
    f
    T
    R
    1
    R
    1
    /R
    2
    条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    = 0
    V
    CB
    = -50V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -50V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -5mA
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = - 0.3毫安
    V
    CC
    = –5V, V
    B
    = - 0.5V ，R
    L
    = 1kΩ
    V
    CC
    = –5V, V
    B
    = -2.5V ，R
    L
    = 1kΩ
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 1mA时， F = 200MHz的
    –30%
    0.8
    80
    10
    1.0
    +30%
    1.2
    –4.9
    – 0.2
    35
    – 0.25
    V
    V
    V
    兆赫
    kΩ
    民
    –50
    –50
    – 0.1
    – 0.5
    – 0.5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    输出电压较高水平
    输出电压低的水平
    跃迁频率
    输入阻抗
    电阻率
    2

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