AGR09045E
45 W， 865兆赫， 895兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该AGR09045E是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS ） RF功率适用于蜂窝晶体管
带，码分多址（CDMA ） ，全球
系统，用于移动通信系统（GSM ），增强型
全球演进技术（EDGE ） ，和时分数据
多址（ TDMA ），单载波与多级
AB无线基站放大器应用。这
设备采用先进的LDMOS制造
技术，提供先进设备，最先进的性能，
可靠性和耐热性。包装在
行业标准的可交付物的钨铜包
荷兰国际集团的45瓦最小输出功率，它是理想的
适用于当今的射频功率放大器应用。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR09045EU
AGR09045EF
符号
价值
单位
R
R
JC
JC
1.2
1.5
° C / W
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR09045EU
AGR09045EF
减免上述25
°C:
AGR09045EU
AGR09045EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, +15
I
D
4.25
P
D
P
D
—
—
T
J
146
117
0.83
0.67
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
AGR09045EU （无凸缘）
AGR09045EF （法兰连接）
T
英镑
–65, +150 °C
图1.可用的软件包
特点
典型表现评级是IS- 95 CDMA ，
试点，同步，寻呼，业务代码8-13 ：
- 输出功率（P
OUT
): 10 W.
- 功率增益：20分贝。
- 效率： 28 ％ 。
- 相邻信道功率比（ ACPR ）
30 kHz的带宽（BW） ：
（ 750 kHz偏置： -45 dBc的）
（ 1.98 MHz偏移： -60 dBc的） 。
- 输入回波损耗10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
硅LDMOS 。
工业标准封装。
45瓦最小输出功率。
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3. ESD额定值*
AGR09045E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
PEAK [ PEAK ELECTRONICS GMBH ]
