PD25025F
25瓦， 2.3GHz的 - 为2.5GHz ， N沟道电子模式，横向MOSFET
介绍
该PD25025F是高电压，金 - 金属化，
横向扩散金属氧化物半导体
（ LDMOS）适合于RF功率晶体管
为2.3GHz - 2.5GHz的AB类无线基站
放大器应用。
该器件采用先进的LDMOS制造
技术，提供先进设备，最先进的性能，
可靠性和耐热性。包装在
行业标准钨铜包能够提供的
荷兰国际集团的25瓦最小输出功率，它是理想的
适用于当今的射频功率放大器应用。
-
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
符号
R
JC
价值
2.1
单位
° C / W
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
减免上述25
°C:
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值
V
DSS
65
V
GS
–0.5, +15
I
D
4.25
120.7
—
T
J
0.69
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
总功耗在T
C
= 25°C时：P
D
T
英镑
–65, +150 °C
PD25025F （法兰连接）
图1.可用的软件包
特点
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
•
特殊应用的性能， 2.5 GHz的
典型的2音性能
平均负载功率 - 12.5 W¯¯
η
D
– 30%
功率增益 - 12.5分贝
IMD3 ： -30dBc @ -100kHz / + 100KHz的
表3. ESD额定值*
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
•
典型CW性能
平均负载功率 - 25瓦
η
D
– 40%
功率增益 - 12.0分贝
•
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。杰尔
采用人体模型（ HBM ） ，机器模型（ MM ）
并在充电装置模型（CDM）的资格要求
为了确定静电敏感性的限制和保护
设计评估。静电放电电压阈值依赖于
用在每个模型电路参数，由定义
JEDEC的JESD22- A114B （HBM） ， JESD22- A115A （ MM）和
JESD22- C101A （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
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