375D -03 ，风格
包20275
1
120瓦， 21 10-2170兆赫
PUSH / PULL横向MOSFET
描述
该PTF102003是120瓦，内部匹配LDMOS
FET IN-
往往对于WCDMA应用2110至2170年兆赫。该器件典型
美云运行在48 ％的效率（ P- 1分贝）和14分贝线性增益。全金
金属确保优良的器件的寿命和可靠性。
PTF102003
主要特点
•
•
内部匹配
在28 V（典型） WCDMA性能
- 平均输出功率= 20瓦的ATT
- 增益= 14分贝
- 效率= 22 ％
（信道带宽3.84MHz的，
相邻信道的± 5MHz的，
峰值/平均8.5 ： 1 0.01 ％ CCD）
Typi CAL SINGL E载波WCDMA Perfor曼斯
-35
-40
效率
收益
25
20
15
10
ACPR
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1.45 A
F = 2170 MHz的
15
20
25
5
0
-45
-50
-55
-60
0
增益（dB） &效率（％）
ACPR （ DBC） X
•在28 V典型CW性能
- 在P1分贝= 120瓦的ATT输出功率
- 增益= 13分贝
- 效率= 48 ％
•全镀金
•集成的ESD保护; 1级
（最小）人体模型
•优良的热稳定性
•宽带内部匹配
•低HCI漂移
•能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
120瓦（ CW）输出功率
5
10
输出电网（瓦特）
保证性能
WCDMA测量
（在测试夹具）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 1.45 ，P
OUT
= 20瓦AVG
F = 2170 MHz的单载波3GPP信道带宽3.84MHz的，调通道± 5 MHz时，峰值为平均8.5 ： 1
特征
相邻通道功率比
收益
漏EF网络效率
符号
ACPR
G
ps
D
民
—
13
19
典型值
-45
14.5
22
最大
-40
—
—
单位
dB
dB
%
双色测量
（在测试夹具）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 1.20 ，P
OUT
= 120瓦特PEP ， F = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
在T公布的所有数据
例
= 25°C ，除非另有说明。
符号
G
ps
D
民
12.5
31
-27
典型值
14
36
-30
最大
—
—
—
单位
dB
%
dBc的
IMD
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