PE3342
产品speci fi cation
EEPROM编程
频率控制数据是本在EE
寄存器可以被写入到非易失性
EEPROM 。所有20位同时写
在并行操作。 EEPROM是
保证至少100擦除/写周期。
擦除周期
EEPROM中应通过擦除采取
写入数据时，由于写操作之前循环
执行逻辑EEPROM中的电流与
内容与在EE寄存器的数据。删除
该EEPROM是通过保持完成
S_WR ， EESel和EELoad投入高，那么
将一个擦除编程电压脉冲
于V
PP
输入（见表13）。电压
源进行此项操作，必须能够
供应EEPROM擦除周期电流
(I
PP
_ERASE ，表5）。的时序图是
在图5中示出。
表13. EEPROM编程
S_WR
1
1
写周期
使用串行数据端口，在EE注册是第一
加载所需的数据。 EEPROM是
然后，通过采取与此数据编程
S_WR投入高和EESel输入低电平，则
将一个写编程电压脉冲
于V
PP
输入。所述电压源，用于本
操作必须能够供给
EEPROM写周期电流（I
PP
_write ，表
5）。该操作的时序图
在图6中编程是通过服用完成
在EELoad输入低电平。
注意，有可能错误地改写
在EE注册与EEPROM内容
写周期的开始，不需要前
操纵EELoad位的（见表10）。
EESEL
1
0
EEload
1
1
V
PP
25ms的@
−8.5V
25ms的@ + 12.5V
功能
擦除周期
写周期
图5. EEPROM擦除时序图
EEload
S_WR
EESEL
t
EESU
t
VPP
t
VPP
t
EESU
0V
V
PP
•擦除
-8.5V
t
EEPW
图6. EEPROM写时序图
EESEL
0V
EEload
3V
S_WR
t
EESU
t
VPP
t
EEPW
12.5V
t
VPP
t
EESU
V
PP
“写
0V
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第10页17
文档编号70-0091-03
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