产品speci fi cation
PE4220
产品说明
该PE4220的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖
广泛的应用范围从DC附近到2500兆赫。这
单电源开关集成主板上的CMOS控制逻辑
通过一个简单的单销CMOS或TTL兼容控制驱动
输入。采用标称+ 3伏电源，典型输入1
可以实现22 dBm的1dB压缩点。该
PE4220也表现出了更好的超过37 dB输入输出隔离
在1000兆赫，并采用小型8引脚MSOP封装。
该PE4220的UltraCMOS ™射频开关是制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSi® ） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
直流 - 2500兆赫
特点
•
单3伏电源
•
极低的插入损耗为0.25分贝
1000兆赫
•
高隔离37分贝1.0 GHz的
•
典型的输入1 dB压缩点
的22.5 dBm的
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
封装采用小型8引脚MSOP
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
注意事项：
2000兆赫
2000兆赫， 8 dBm的
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低
在一个50Ω测试装置，具有1ns的测量上升时间脉冲和500 MHz的带宽。
20
42
1000兆赫
1000兆赫
1000兆赫
1000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
34.5
34
17.5
条件
最低
DC
典型
最大
2500
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
0.25
37
35
19
200
90
5.0
22.5
43.5
0.35
文档编号70-0028-09
│
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