产品speci fi cation
PE4230
产品说明
该PE4230的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫直流应用。这
单电源反射开关集成主板上的CMOS
控制逻辑由一简单的单销CMOS或TTL驱动
兼容控制输入。采用标称+ 3伏电源，
+32 dBm的典型输入1 dB压缩点可以
实现的。该PE4230也表现出了输入输出隔离
比39分贝更在1000兆赫，并采用小型8引脚
MSOP封装。
该PE4230 SPDT高功率的UltraCMOS ™射频开关
在百富勤的专利超薄硅制造
（ UTSi® ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS ™
RF开关
特点
•
单3伏电源
•
低插入损耗0.35分贝
1000兆赫为0.55分贝2000兆赫
•
高隔离39分贝1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
•
典型的输入1 dB压缩点
+32 dBm的
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
低成本
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 17 dBm的
30
50
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
38
28
33.5
26.5
23.5
14.5
条件
最低
DC
典型
0.35
0.55
39
30
35
28
25.5
15.4
200
90
15
32
最大
3000
0.45
0.65
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0029-02
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