产品speci fi cation
PE4231
产品说明
该PE4231 SPDT大功率
的UltraCMOS ™
射频开关
设计为覆盖一个宽范围的应用从DC到1.3
千兆赫。此单电源反射开关板上集成
CMOS控制逻辑通过一个简单的单针CMOS驱动或
TTL兼容控制输入。采用标称+ 3伏电源
供应， +32 dBm的典型输入1 dB压缩点可
来实现。该PE4231也表现出了输入输出隔离
比42分贝好于1.0 GHz和提供小型8引脚
MSOP封装。
该PE4231 SPDT大功率
的UltraCMOS ™
射频开关
在百富勤的专利超薄硅制造
（ UTSi® ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFCommon
SPDT大功率的UltraCMOS ™
DC - 1.3 GHz射频开关
特点
•
优化75
Ω
系统
•
单+ 3伏电源
•
低插入损耗：1.3分贝1.0 GHz的
•
高隔离42分贝1.0 GHz的
•
典型输入1 dB压缩点
+32 dBm的
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
低成本
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 75
Ω
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFCommon到
RF1/RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
3
输入IP3
3
注意事项：
1000兆赫
1000兆赫， 17 dBm的
30
50
50兆赫
1000兆赫
50兆赫
1000兆赫
50兆赫
1000兆赫
1000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
73
40
58
33
16
条件
最低
DC
典型
0.50
0.80
75
42
60
35
17
2000
900
15
32
最大
1300
0.60
0.90
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
1.设备的线性度会开始降低低于1MHz 。
2.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz的带宽。
3.测量在50
Ω
系统。
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文档编号70-0097-01
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