产品speci fi cation
PE4235
产品说明
在PE4235射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。此单电源
反射式开关集成主板上的CMOS控制逻辑
通过一个简单的单销CMOS或TTL控制输入驱动。
采用标称+ 3伏电源， 1 dB压缩
可以实现点15 dBm的。该PE4235也表现出
更好的超过40分贝，在1000 MHz的出众的隔离，是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4235制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
•
单3.0伏电源
•
低插入损耗0.40分贝
1000兆赫， 0.45分贝在2000兆赫
•
高隔离40分贝，在1000兆赫，
30分贝在2000兆赫
•
典型的1 dB压缩点
+15 dBm的
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
Ω)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 5 dBm的
13.5
32.5
1
条件
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
最低
DC
典型
0.40
0.45
最大
4000
0.50
0.60
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
39
29
36
28
20
17
40
30
37
29
22
19
200
90
2.5
15
36
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0069-03
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