产品speci fi cation
PE4244
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
产品说明
该PE4244的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖
广泛的应用范围从直流到3.0千兆赫。此开关
具有低电压集成主板上的CMOS控制逻辑
CMOS兼容控制输入。用+ 3伏额定功率
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点可以
实现的。该PE4244也表现出39分贝良好的隔离
在1.0 GHz和在一个小的8引脚MSOP封装。
该PE4244的UltraCMOS ™射频开关是制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSi® ） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
特点
•
•
•
•
•
•
单+ 3.0伏电源
低插入损耗： 0.60分贝最多
2.0 GHz的
高隔离39分贝1.0 GHz的，
29分贝在2.0 GHz的
的+27 dBm的典型1 dB压缩
单针CMOS控制逻辑
封装采用8引脚MSOP
图2.封装类型
8引脚MSOP
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
注意事项：
2000兆赫
2000兆赫， 14dBm
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
条件
最低
DC
典型
0.60
0.60
39
29
36
28
20
25
200
90
15
27
45
最大
3000
0.75
0.75
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
37
27
34
26
19
22
文档编号70-0103-03
│
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