产品speci fi cation
PE4245
产品说明
在PE4245射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。此开关集成
板上具有低电压的CMOS CMOS控制逻辑
兼容控制输入。用+ 3伏额定功率
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点可以
实现的。该PE4245也表现出了良好的隔离
比42分贝更在1000兆赫，并采用小型3×3
毫米DFN封装。
该PE4245制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
•
单3.0 V电源
•
低插入损耗：0.6分贝1000兆赫，
0.7分贝在2000兆赫
•
高隔离42分贝1000兆赫，
32分贝在2000兆赫
•
的+27 dBm的典型1 dB压缩
•
单针CMOS控制逻辑
•
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 14 dBm的
26
43
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
39
30
34
27
21
20
条件
最低
DC
典型
0.6
0.7
42
32
36
29
23
22
200
90
15
27
45
最大
4000
0.75
0.85
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0104-04
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