产品speci fi cation
PE4246
产品说明
在PE4246射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用从DC至5000兆赫。它是无反射的两
RF1和RF2端口。这SPST开关集成了单针
CMOS控制接口,并提供低插入损耗,而
经营从单一的+ 3伏电源极低的偏置。
在一个典型的应用中,高隔离PE4246可以代替
对较小的隔离性能多个射频开关。这是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4246制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中,硅 - 绝缘体( SOI)的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上,提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
吸收SPST的UltraCMOS ™
RF开关: DC - 5000 MHz的
特点
•
非反射50欧姆RF开关
•
50欧姆( 0.25瓦特)终端
•
高隔离55分贝1000兆赫,
48分贝在3000兆赫
•
低插入损耗0.8分贝1000兆赫,
0.9分贝在3000兆赫
•
高线性度: +33 dBm的输入1dB
压缩点
•
CMOS / TTL的单引脚控制
•
单+ 3伏电源供电
•
极低的偏置: 33
µA
@ 3 V
•
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
RF1
RF2
6引线DFN
50
CMOS
控制
司机
50
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C,V
DD
= 3 V
( ZS = ZL = 50
Ω)
参数
工作频率
1
工作电源
CTRL=1/CTRL=0
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
2
条件
最低
DC
典型
最大
5000
30/24
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
插入损耗
0.8
0.9
1.0
1.3
49
45
43
40
11
30
50
55
48
46
44
20
33
1.0
1.1
1.3
1.8
隔离
回波损耗
输入1 dB压缩
3
输入IP3
视频馈通
开关时间
15
2
mV
pp
µs
注:1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
2.在开关的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
Ω
测试设置,
与1ns的上升时间脉冲和500 MHz带宽的测量。
在表3中3。注意绝对最大额定值。
文档编号70-0090-05
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