PE42742
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
GND
VDD
19 GND
17 C1
16 C2
表4.工作条件@ 25°C
参数
V
DD
电源
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V, V
CNTL
= 3 V)
控制电压高
控制电压低
0.7× V
DD
0
民
2.7
典型值
3.0
8
最大
3.3
单位
V
µA
20
GND
GND
RF1
GND
GND
1
GND
2
3
4
5
75
75
18
15 GND
14 GND
13
RF2
V
DD
0.3× V
DD
V
V
12 GND
11 GND
表5.绝对最大额定值
符号
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
在RFC ， RF1 ， RF2射频功率
终止/通过
储存温度
工作温度
ESD电压* RF引脚
V
ESD
ESD电压*数字引脚
* HBM ， ML_STD 883方法3015.7
500
-65
-40
民
-0.3
-0.3
最大
4.0
V
DD
+
0.3
24/33
+150
+85
2000
单位
V
V
DBM
°C
°C
GND 10
6
7
8
9
V
DD
V
I
P
RF
GND
GND
表3.引脚说明
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
PAD
注意事项：
GND
RFC
T
ST
名字
GND
GND
RF1
1
GND
GND
GND
GND
RFC
1
GND
GND
GND
GND
RF2
1
描述
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
射频地
射频地
射频共
射频地
射频地
射频地
射频地
RF I / O
射频地
射频地
控制2（或逻辑选择）
控制1（或逻辑选择）
射频地
射频地
供应
射频地垫
T
OP
V
部分性能不低于上述担保
条件。暴露在绝对最大
对于延长的时间段的条件可
产生不利影响的可靠性。超过压力
绝对最大额定值可能会造成永久性的
损害。
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
开关频率
该PE42742具有最大25 kHz的开关
率。
GND
GND
C2
2
C1
2
GND
GND
VDD
GND
1.射频引脚3,8 ，和13必须是在0伏。 RF引脚办
无需隔直流电容器正常运行，如果
0 V DC要求得到满足。
2.在引脚16和17可以为单针或互补的设置
引脚控制。
文档编号70-0203-03
│
www.psemi.com
©2006 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 3
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
