产品speci fi cation
PE4283
产品说明
该PE4283射频开关的设计涵盖了广泛的
通过4000兆赫直流应用。这种反射
开关集成主板上的CMOS控制逻辑,具有低
电压CMOS兼容的控制接口,并且可以是
使用单针或互补控制控制
输入。该PE4283工作于3伏电源。
该PE4283 SPDT大功率射频开关制造
在百富勤公司的UltraCMOS ™工艺,专利的变化
的在蓝宝石上硅绝缘体(SOI)技术
基片,将提供的GaAs与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS ™
DC - 4.0 GHz射频开关
特点
•
单针或互补的CMOS
逻辑控制输入
•
1.5 kV的ESD耐受性
•
低插入损耗0.65分贝
1000兆赫, 0.70分贝在2500兆赫
•
33.5分贝RFC - RF1 / RF2隔离
1000兆赫, 21.5分贝在2500兆赫
•
37.5分贝RF1 , RF2隔离
1000兆赫,21分贝2500兆赫
•
典型的输入1 dB压缩点
+32 dBm的
•
超小型SC- 70封装
图2.包装类型SC- 70
RF1
RF2
6引脚SC- 70
CMOS
控制
司机
V1
V2
表1.电气规格@ 25 ° C,V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω
)
参数
工作频率
1
插入损耗
DC - 4000
1000兆赫
2500兆赫
1000兆赫
2500兆赫
1000兆赫
2500兆赫
1000兆赫
2500兆赫
50%的CTRL键的终值0.1分贝, 1 GHz的
50 % CTRL 〜25 dB的隔离, 1 GHz的
1000兆赫
1000兆赫, 20 dBm的输入功率
30
31.5
19.5
35.5
20
条件
民
DC
典型
最大
4000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
0.65
0.70
33.5
21.5
37.5
22
19
16
0.725
0.625
+32
+53
0.75
0.80
隔离: RFC - RF1 / RF2
隔离: RF1 - RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
输入1 dB压缩
输入IP3
1.5
1.3
µs
µs
DBM
DBM
注:1,线性器件将开始降低10 MHz以下。
文档编号70-0177-04
│
www.psemi.com
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
分页: 11 1