PE83336
产品speci fi cation
表6. AC特性
V
DD
= 3.0 V， -55°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明
符号
f
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DSU
t
DHLD
t
PW
t
无缝线路
t
CE
t
WRC
t
EC
t
MDO
F
in
P
鳍
参数
串行数据时钟频率
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
SDATA设定时间后SCLK上升沿，D [ 7：0]设置
时间M1_WR ， M2_WR ， A_WR ， E_WR上升沿
SDATA后SCLK上升沿保持时间， D [ 7 ： 0]保持时间
M1_WR ， M2_WR ， A_WR ， E_WR上升沿
S_WR ， M1_WR ， M2_WR ， A_WR ， E_WR脉宽
SCLK上升沿到S_WR上升沿。 S_WR ， M1_WR ，
M2_WR ， A_WR下降沿到Hop_WR上升沿
SCLK下降沿到E_WR转型
S_WR下降沿到SCLK上升沿。 Hop_WR下降
边S_WR ， M1_WR ， M2_WR ， A_WR上升沿
E_WR过渡到SCLK上升沿
后翅上升沿MSEL数据输出延时
工作频率
输入电平范围
条件
民
典型值
最大
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
控制接口和锁存器（请参阅图3，图4，图5 ）
30
30
10
10
30
30
30
30
30
C
L
= 12 pF的
500
外部交流耦合
外部交流耦合
-5
0
8
（注5 ）
3000
5
5
ns
兆赫
DBM
DBM
主分频器（包括预分频器）
85°C <牛逼
A
≤
125°C
主分频器（预分频器绕过）
F
in
P
鳍
工作频率
输入电平范围
外部交流耦合
外部交流耦合
50
-5
0
300
5
5
兆赫
DBM
DBM
85°C <牛逼
A
≤
125°C
参考分频器
f
r
P
fr
V
fr
工作频率
参考输入功率
输入灵敏度
（注1 ）
单端输入
外部交流耦合
（注3）
（注1 ）
100 Hz的偏移： V
DD
= 3.0V ，T = 25°C
1000赫兹偏移： V
DD
= 3.0V ，T = 25°C
（注2 ）
-2
0.5
100
10
兆赫
DBM
V
P-P
相位检测器
f
c
PN
OR
PN
OR
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
比较频率
输出简称相位噪声
输出简称相位噪声
20
-78
-94
（注4 ）
（注4 ）
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
SSB相位噪声：输出简称（F
in
= 1918MHz ，女
r
= 10 MHz时，女
c
= 1MHz时，低出生体重= 70千赫
)
参数只能通过特性保证，未经测试。
运行在低频率（ < 10MHz的正弦波） ，该设备将仍然是功能性，但可能会导致相位噪声劣化。插入一个低
噪声放大器方达的边缘，建议在较低的输入频率。
CMOS逻辑电平可以被使用，如果直流耦合。为了达到最佳的相位噪声性能，参考输入下降沿速度应该会更快
超过80mV的/纳秒。
所有器件进行筛选，逐步在表中列出的噪声限值7.测试仪不确定性的大小排除了测试相位噪声的一部分
资格测试。这些参数也免除PDA的需求。
参数使用100pF的电容负载测试，通过鉴定只保证。典型的测试延迟为12ns 。
Peregrine半导体股份有限公司。
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版权
Peregrine半导体公司2003
第14页第7
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
