初步speci fi cation
PE84244
军用工作温度范围
产品说明
该PE84244射频MOSFET开关被设计为覆盖
广泛的应用范围从直流到3.0千兆赫。此开关
具有低电压集成主板上的CMOS控制逻辑
CMOS兼容控制输入。用+3伏的标称
电源电压的+27 dBm的1 dB压缩点
可以实现的。该PE84244还具有优异的
28 dB的隔离，在2.0 GHz和提供小型8引脚
MSOP封装。
该PE4244 MOSFET RF开关处于制造
百富勤公司的专利超薄硅（ UTSI
） CMOS
过程中，提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
图1.功能示意图
RFCommon
单刀双掷射频MOSFET开关
特点
•
单+ 3.0伏电源
•
低插入损耗： 0.70分贝了
至2.0GHz
•
1.0高隔离度的39分贝
GHz的28分贝2.0 GHz的典型
•
典型的1 dB压缩
+27 dBm的
•
单针CMOS控制逻辑
•
封装采用8引脚MSOP
图2.封装类型
RF1
CTRL
RF2
8-lead
MSOP
表1.电气规格-55 ° C至+ 125 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
插入损耗
隔离 - RFCommon到
RF1/RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
1
条件
最低
DC
典型
最大
3000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
2000兆赫
2000兆赫
2000兆赫
2000兆赫
CTRL到0.1分贝终值， 2 GHz的
CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
25
24
18
0.7
28
27
25
200
90
15
0.95
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 14dBm
25
40
27
42
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的
50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
Peregrine半导体股份有限公司。
|
http://www.peregrine-semi.com
版权
Peregrine半导体公司2003
第1页7
PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
