产品speci fi cation
PE42510A
产品说明
下面的规范定义的SPDT (单刀
双掷)开关,用于在蜂窝和其它无线使用
应用程序。该PE42510A使用百富勤的的UltraCMOS ™
过程还设有竖琴™技术
的增强功能以提供高的线性度和例外的
谐波性能。竖琴™技术是一种创新
中的UltraCMOS ™工艺的特点,提供升级
线性性能。
该PE42510A制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中,硅 - 绝缘体( SOI)的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上,提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
SPDT大功率的UltraCMOS ™
RF开关30 - 2000兆赫
特点
•
无需隔直电容
•
50瓦特的P1dB压缩点
•
10瓦<8 : 1 VSWR (普通
操作)
•
29分贝隔离@ 800 MHz的
•
< 0.3分贝插入损耗在800 MHz的
•
2f
o
和3F
o
< -84 dBc的@ 42.5 dBm的
•
ESD坚固, 2.0千伏HBM
•
32引脚5×5毫米QFN封装
图2.封装类型
32引脚5×5毫米QFN
RF1
RF2
CMOS
控制驱动器
和ESD
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C,V
DD
= 3.3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω
) ,除非另有说明
参数
射频插入损耗
0.1分贝输入压缩点
隔离(供应偏) : RF为RFC
无偏隔离:射频 - RFC ,V
DD
, V1=0 V
RF (活动端口)回波损耗
二阶谐波
第三谐波
开关时间
开关寿命周期
800兆赫@ 42.5 dBm的
50% CTRL的射频为10 /90%
没有RF应用
30兆赫
≤
1 GHz的
1 GHz的< 2 GHz的
800 MHz时, 50%的占空比
800兆赫
27 dBm时, 800 MHz的
25
5
15
22
-84
0.04
10^10
-81
0.5
条件
民
典型值
0.4
0.5
45.4
29
最大
0.6
0.7
单位
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
dBc的
ms
周期
注:该设备是与每个RF端口1.6 nH的电感匹配
文档编号70-0266-01
│
www.psemi.com
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