产品speci fi cation
PE4237
产品说明
在PE4237射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用程序从接近直流到4000兆赫。这种反射开关
集成了主板上的CMOS控制逻辑，通过单引脚驱动，
低电压CMOS或TTL控制输入。使用标称+ 3-
伏电源， +32 dBm的1 dB压缩点可
来实现。该PE4237也表现出卓越的隔离
比43分贝更在1000兆赫，是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4237制造的百富勤的UltraCMOS ™
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
RFC
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
DC - 4000 MHz的
特点
•
单3.0伏电源
•
低插入损耗0.35分贝
1000兆赫， 0.45分贝在2000兆赫
•
高隔离43分贝1000兆赫，
35分贝在2000兆赫
•
典型的1 dB压缩点
+32 dBm的
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
6引线DFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
2000兆赫
2000兆赫， 17 dBm的
30
50
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键0.1分贝终值， 2 GHz的
50 ％ CTRL 〜25 dB的隔离， 2 GHz的
41
33
33.5
26.5
19
10.5
条件
最低
DC
典型
0.35
0.45
43
35
35
28
24
14
200
90
15
32
最大
4000
0.50
0.60
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0071-03
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