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型号: PE4250
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内容描述: 单刀双掷的UltraCMOS RF开关 [SPDT UltraCMOS RF Switch]
分类和应用: 开关光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 226 K
品牌: PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
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产品speci fi cation
PE4250
产品说明
该PE4250是竖琴™ - 增强的反射SPDT (单
单刀双掷)射频开关为一般开关的使用
应用程序和移动基础设施。该器件提供了一个
3.3 / 5V ,单针或互补的灵活电源电压
引脚控制输入端,和4000 V ESD的耐受性。它提出了一个
简单的替代解决方案, PIN二极管和机械继电器
开关。
百富勤的竖琴™技术的增强提供高
线性度和卓越的性能。它是一种创新
中的UltraCMOS ™工艺,提供的性能特点
优于砷化镓具有的经济和积分
传统的CMOS 。
单刀双掷的UltraCMOS ™射频开关
10 - 3000兆赫,反光
特点
竖琴增强技术
低插入损耗: 0.65分贝@ 1000 MHz的
高隔离度51 dB的1000兆赫
P1dB的典型: 30.5 dBm的
IIP3典型: +59 dBm的
快速开关时间: 150纳秒
灵活的电源电压: 3.3 V± 10 %或5.0
伏± 10%的供应量(见表3)
出色的ESD保护: 4000 V HBM
无需隔直电容
单针或互补控制输入
图1.功能框图
RFC
ESD
图2.封装类型
RF2
8引脚MSOP
ESD
RF1
ESD
CMOS
控制
司机
V1
V2
表1.目标电气规格
温度= 25 ° C,V
DD
= 3.3或5.0 V
参数
工作频率
1
10兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
50 - 3000兆赫
50 - 3000兆赫,每口气+18 dBm时, 5 MHz的间距
50 % CTRL 〜10 /90%的RF
条件
10
典型
0.6
0.65
0.75
0.75
51
48
40
25
23
20
30.5
59
150
最大
3000
0.65
0.70
0.80
0.90
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
ns
插入损耗( RF1 / RF2 )
隔离( RFC到RF1 / RF2 )
50
46
35
回波损耗
输入1 dB压缩
2
输入IP3
开关时间
注意事项:
300
1.设备的线性度会开始降低10 MHz以下。
P 2.注意绝对最大额定值
IN
= 27 dBm的。
文档编号70-0254-02
www.psemi.com
©2008-2009 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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