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PE42540LGBC-Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PE42540LGBC-Z
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内容描述: 的UltraCMOS SP4T射频开关 [UltraCMOS SP4T RF Switch]
分类和应用: 开关射频开关
文件页数/大小: 12 页 / 548 K
品牌: PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
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产品speci fi cation
PE42540
产品说明
该PE42540是竖琴™技术的增强型
在发达的UltraCMOS吸收SP4T射频开关
®
工艺技术。这个开关是专门设计
支持测试设备的要求,并
ATE市场。它是由四个对称的RF端口
并且具有非常高的隔离度。片上CMOS解码
逻辑方便了两针低压CMOS控制
接口和一个可选的外部Vss的功能。高
ESD耐受性,无隔直电容的要求
使这个极致的集成和耐用性。
该PE42540是在百富勤的制造
的UltraCMOS
®
过程中,一个专利的变体硅导通
绝缘体(SOI)技术,在蓝宝石衬底上,
提供与经济的GaAs的性能
整合传统的CMOS 。
的UltraCMOS
®
SP4T射频开关
10赫兹 - 8 GHz的吸收
特点

竖琴™技术增强

快速建立时间

消除栅极与相位滞后

在插入损耗和相位无漂移

高线性度: 58 dBm的IIP3

低插入损耗为0.8 dB的3千兆赫,
1.0分贝@ 6 GHz和1.2分贝@ 8 GHz的

高隔离度45 dB的3千兆赫,
39分贝@ 6 GHz的31 dB的8 GHz的

最大承受功率: 30 dBm的@
8 GHz的

吸收式开关设计

2kV的HBM对RFC高ESD耐受性
而千伏HBM上的所有其他引脚
图1.功能框图
RFC
图2.封装类型
32引脚5×5毫米LGA
RF1
ESD
ESD
RF2
50
50
RF3
ESD
ESD
RF4
50
CMOS控制/
驱动器和ESD
50
V
DD
V1
V2
VSS
EXT
71-0067
文档编号70-0299-08
|
www.psemi.com
©2010-2012 Peregrine半导体公司保留所有权利。
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