产品speci fi cation
PE4257
产品说明
该PE4257是一种高隔离度的UltraCMOS ™开关设计
对于无线应用，覆盖一个宽的频率范围
从近DC至3000兆赫。此单电源SPDT
开关集成了两针CMOS控制接口。这也
提供了具有极低的偏置低插入损耗
的要求，同时工作在一个3伏电源。在一个
典型的无线应用中， PE4257提供
空前的孤立和整合。
该PE4257是Peregrine公司的专利制造的超
薄硅（ UTSI © ） CMOS工艺，提供性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
图2.封装类型
RFC
50
Ω
SPDT吸收的UltraCMOS ™
DC - 3.0 GHz射频开关
特点
•
50
Ω
特性阻抗
•
综合50
Ω
0.25瓦特终端
•
高输入IP3 > +55 dBm的
•
高隔离64分贝在1000兆赫
•
低插入损耗：典型0.75分贝
在1000兆赫和0.95分贝2000兆赫
•
LV CMOS两针控制
•
单3伏电源供电
•
低电流消耗： 8
µA
采用4x4mm 20引脚QFN
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL1 CTRL2
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3.0 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
3000兆赫
5兆赫 - 1000兆赫
5兆赫 - 1000兆赫
1000兆赫
50％的CTRL键九十零分之一十RF
5兆赫 - 1000兆赫
50
29
61
46
40
57
54
42
条件
最低
DC
典型
0.75
0.95
1.2
64
50
44
63
60
48
80
55
31
2
最大
3000
0.95
1.15
1.4
单位
兆赫
dB
隔离输入到输出
dB
隔离输出到输出
输入IP2
输入IP3
输入1dB压缩
2
开关时间
视频馈通
3
dB
DBM
DBM
DBM
µs
15
mV
pp
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
在表3中2。注意绝对最大额定值。
3.衡量一个1纳秒的上升时间， 0/3 V脉冲和500 MHz带宽
文档编号70-0166-02
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