产品speci fi cation
PE4259
产品说明
该PE4259的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖
广泛的，通过3000兆赫从近DC应用。
这种反射开关集成主板上的CMOS控制逻辑
用低电压CMOS兼容的控制接口，并且可以
使用单针或互补的控制来控制
输入。使用标称值为+ 3伏电源电压，典型
可以实现33.5 dBm的输入1 dB压缩点。
该PE4259 SPDT高功率的UltraCMOS ™射频开关
在百富勤的专利超薄硅制造
（ UTSi® ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能
经济一体化和传统的CMOS 。
SPDT大功率的UltraCMOS ™
DC - 3.0 GHz射频开关
特点
•
单针或互补的CMOS
逻辑控制输入
•
低插入损耗0.35分贝
1000兆赫，0.5分贝，在2000兆赫
•
30 dB的隔离在1000兆赫， 20分贝
在2000兆赫
•
典型的输入1 dB压缩点
的33.5 dBm的
•
超小型SC- 70封装
图1.功能框图
图2.包装类型SC- 70
RFC
6引脚SC- 70
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL CTRL或V
DD
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω
)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离
回波损耗
“ON”切换时间
“OFF”开关时间
视频馈通
2
输入1 dB压缩
输入IP3
1000兆赫
1000兆赫， 20dBm的输入功率
31.5
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
1000兆赫
2000兆赫
50％的CTRL键的终值0.1分贝， 1 GHz的
50 ％ CTRL 〜25 dB的隔离， 1 GHz的
29
19
21
24
条件
最低
DC
典型
0.35
0.50
30
20
22
27
1.50
1.50
15
33.5
55
最大
3000
0.45
0.60
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
us
us
mV
pp
DBM
DBM
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到
高或高到低在50
Ω
测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
文档编号70-0134-02
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